中文字幕人成在线,国产亚洲色视频在线,国产水蜜桃网永久免费网

首頁 >IRFI510GPBF>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRFI510GPBF	文件：1.03226 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI510GPBF	文件：1.07947 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS510	文件：253.79 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.289Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFS510A	文件：253.79 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.289Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFS510A	文件：271.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFW510A	文件：348.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFWI510A	文件：253.62 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRL510	文件：177.97 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL510	文件：1.87459 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL510	文件：1.03278 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL510	文件：1.1573 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL510	文件：1.15569 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL510A	文件：242.06 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.44? ID=5.6A FEATURES ?Logic-LevelGateDrive ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):0.33	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRL510A	文件：280.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL510L	文件：1.03278 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL510PBF	文件：230.15 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL510PBF	文件：1.87459 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL510PBF	文件：1.15569 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL510S	文件：187.79 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL510S	文件：277.82 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprov	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

12 3 >>>

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFI510GPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 4.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRFI510GPBF	Vishay Siliconix	24+	TO-220-3	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	IRFI510GPBF	VISHAY/威世	21+	NA	1900	只做原裝,假一罰十	詢價
深圳市安博威科技有限公司	IRFI510GPBF	VISHAY	21+	TO-220-3	1900	原裝正品有掛有貨	詢價
深圳市華高宇電子有限公司	IRFI510GPBF	VISHAY	20+		1700	TO-220-3	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRFI510GPBF	VISHAY	23+	TO-220-3	1700	原裝現(xiàn)貨支持送檢	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRFI510GPBF	VISHAY(威世)	23+	TO-220F	7828	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFI510GPBF	VishayIR	24+	TO-220F	335		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	IRFI510GPBF	VISHAY	23+	TO220	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRFI510GPBF	IR	2016+	TO-220F	6528	房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市鵬和科技有限公司	IRFI510GPBF	I	24+	TO-220F	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價

更多IRFI510GPBF供應(yīng)商更新時間2025-1-7 22:28:00

詳細(xì)參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存