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IRFI540NPBF	文件：258.72 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI540NPBF	文件：505.31 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFI540NPBF	文件：267.68 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFI540NPBF_15	文件：267.68 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFM540	文件：625.11 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFNJ540	文件：42.95 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFR540Z	文件：371.01 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatest processingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeatures ofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeeda	IRF International Rectifier	IRF
IRFR540Z	文件：335.8 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR540Z	文件：1.24219 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR540Z	文件：790.06 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch100VFastSwitchingMOSFETs Features ?AdvancedTrenchMOSTechnology ?100EASGuaranteed ?ReliableandRugged ?GreenDeviceAvailable Applications ?SynchronousRectificationinSMPS ?HardSwitchingandHighSpeedCircuit ?DC/DCinTelecomsandInductrial	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFR540ZPBF	文件：359.46 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR540ZPBF	文件：359.46 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperating temperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeature	IRF International Rectifier	IRF
IRFR540ZPBF	文件：1.02245 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRFR540ZTRLPBF	文件：368.66 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR540ZTRPBF	文件：1.02244 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRFS540	文件：259.56 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.041Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFS540	文件：270.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS540A	文件：259.56 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.041Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFS540A	文件：271.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU540Z	文件：371.01 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatest processingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeatures ofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeeda	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFI540NPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 18A 52mOhm 62.7nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多IRFI540NPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-7 22:28:00

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