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IRFIB8N50KPBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF

IRFIB8N50KPBF

MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

IXFP8N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=800mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

IXFP8N50PM

PolarHVHiPerFETPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXTA8N50P

PolarHVPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    IRFIB8N50KPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IRFIB8N50KPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-3 14:14:00