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IRFIBC20GPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRFIBC20GPBF |
| 功能描述 | HEXFET Power MOSFET |
| 文件大小 |
920.46 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-7 9:10:00 |
| 人工找貨 | IRFIBC20GPBF價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRFIBC20GPBF規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
? Isolated Package
? High Voltage Isolation = 2.5 KVRMS
? Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mm
? Dynamic dV/dt Rating
? Low Thermal Resistance
? Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFIBC20GPBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
2025+ |
TO-220-3 |
56303 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO-220F |
60000 |
詢價(jià) | |||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-220F |
65300 |
一級(jí)代理/放心購買! |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
18689 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO-220F |
9000 |
只做原裝，歡迎詢價(jià)，量大價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
7000 |
詢價(jià) | |||
IR |
20+ |
TO-220F |
2383 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IR |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
VB |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) |
