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IRFIBC30GPBF

HEXFET Power MOSFET

Description ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat

IRF

International Rectifier

IRFIBC30GPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s;f=60Hz) ?Sink

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFIBC30GPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFIBC30GPBF

MOSFET N-CH600V HEXFET MOSFET;

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRFIBC30GPBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多IRFIBC30GPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 16:33:00

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