首頁(yè)>IRFL024NPBF>規(guī)格書詳情
IRFL024NPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
IRFL024NPBF規(guī)格書詳情
VDSS = 55V
RDS(on) = 57.5m?
ID = 5.1A
Description
This HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Features
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
150°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFL024NPBF
- 功能描述：
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
65230 |
詢價(jià) | ||||
IR(國(guó)際整流器) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
IR |
2020+ |
SOT223 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
SOT-223 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) | ||
IR |
SOT-223 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價(jià) | |||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
SOT-223 |
7793 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
SOT223 |
9000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
SOT-223 |
3022 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價(jià) | |||
IR |
22+ |
SOT-223 |
18000 |
只做全新原裝,支持BOM配單,假一罰十 |
詢價(jià) |
