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IRFPF30	文件：165.09 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=3.6A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?FastS	IRF International Rectifier
IRFPF30	文件：1.47709 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
IRFPF30	文件：833.19 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
IRFPF30	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=3.6A)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司
IRFPF30PBF	文件：1.47709 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
IRFPF30_V01	文件：833.19 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
IRFPF30PB	文件：833.19 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體
IRFPF30PBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH900V HEXFET MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFPF30
功能描述：
MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IRFPF30供應(yīng)商更新時間2025-8-2 16:30:00

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