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IRFR18N15D中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRFR18N15D |
| 功能描述 | SMPS MOSFET |
| 文件大小 |
126.36 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-30 12:13:00 |
| 人工找貨 | IRFR18N15D價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRFR18N15D規(guī)格書詳情
Applications
High frequency DC-DC converters
Benefits
1. Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses
2. Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, (See App. Note AN1001)
3. Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFR18N15D
- 功能描述：
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-252 |
500885 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
IRFR18N15D |
39 |
39 |
詢價(jià) | ||||
IR |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
NA |
30000 |
房間原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣,有單詳談 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
原廠封裝 |
9450 |
原裝正品，實(shí)單請(qǐng)聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
3215 |
原裝優(yōu)勢(shì)!絕對(duì)公司現(xiàn)貨! |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
DPAK |
6000 |
全新原裝深圳倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨有單必成 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO-252 |
12588 |
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) |
