IRFR3303中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
IRFR3303規(guī)格書(shū)詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Ultra Low On-Resistance
● Surface Mount (IRFR3303)
● Straight Lead (IRFU3033)
● Advanced Process Technology
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFR3303
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
- RoHS：
否
- 類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
原廠封裝 |
350000 |
100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫(kù)存 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
23+ |
NA/ |
26 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
6000 |
面議 |
19 |
D-PAK |
詢(xún)價(jià) | ||
IRFR3303 |
3001 |
3001 |
詢(xún)價(jià) | ||||
IR |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶(hù)做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
2020+ |
N/A |
4226 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO252 |
6000 |
原裝正品假一罰百!可開(kāi)增票! |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO-252 |
5587 |
原裝現(xiàn)貨庫(kù)存 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
30000 |
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
21+ |
48000 |
12588 |
原裝正品假一罰十 |
詢(xún)價(jià) |
