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IRFR3410

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description TheIRFR3410usesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=100VID=30A RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

EVVOSEMI

IRFR3410

100V 單個(gè) N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封裝

\n優(yōu)勢(shì):\n? 符合 RoHS\n? 具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)的品質(zhì)\n? 動(dòng)態(tài)的dv/dt額定值\n? 快速開(kāi)關(guān)\n? 完全雪崩額定值\n? 175°C 的工作溫度\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

IRFR3410

Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF

IRFR3410

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

IRFR3410

Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR3410

High frequency DC-DC converters

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR3410PBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF

IRFR3410PBF

High frequency DC-DC converters

IRF

International Rectifier

IRF

IRFR3410PBF

High frequency DC-DC converters

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR3410PBF

High frequency DC-DC converters

IRF

International Rectifier

IRF

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IRFR3410TRLPBF/IRFR3410TRPBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    DPAK/DPAK

  • VDS max：

    100 V

  • RDS (on) @10V max：

    39 m?/39 m?

  • ID @25°C max：

    31 A/31 A

  • QG typ @10V：

    37 nC/37 nC

  • Polarity：

    N

  • VGS(th) min：

    2 V/2 V

  • VGS(th) max：

    4 V/4 V

  • VGS(th)：

    3 V/3 V

  • Technology：

    IR MOSFET?/IR MOSFET?

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY/威世
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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更多IRFR3410供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 17:06:00

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