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IRFR5410PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRFR5410PBF |
| 功能描述 | HEXFET Power MOSFET |
| 文件大小 |
264.04 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-31 21:46:00 |
| 人工找貨 | IRFR5410PBF價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRFR5410PBF規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Ultra Low On-Resistance
● P-Channel
● Surface Mount (IRFR5410)
● Straight Lead (IRFU5410)
● Advanced Process Technology
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFR5410PBF
- 功能描述：
MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
13+ |
TO252 |
177 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO252 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
1948+ |
TO-252 |
6852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
DPAK |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
21+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-252 |
50000 |
只做正品原裝,假一罰十,歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
INTERNATIONA |
22+ |
SOT-2575&NBS |
4500 |
全新原裝品牌專營 |
詢價(jià) | ||
IR |
2021+ |
TO-252 |
3500 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-252 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
Pak |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價(jià) |
