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IRFSL23N15D

Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)

Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRFSL23N15D

Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFSL23N15DPBF

HEXFET?Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRFSL23N15DPBF

High frequency DC-DC converters

IRF

International Rectifier

IRFB23N15

PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.090ohm,Id=23A)

Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRFB23N15D

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.09Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFB23N15D

HighfrequencyDC-DCconverters

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFB23N15D

PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.090ohm,Id=23A)

Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRFB23N15DPBF

HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRFB23N15DPBF

N-Channel150V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRFSL23N15D

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 150V 23A TO-262

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IR
05+
原廠原裝
901
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
IR
23+
TO-262
7600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
24+
TO-262
8866
詢價(jià)
IR
24+
TO-262
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
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IR
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TO-262
6523
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
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19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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TO-262-3
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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TO-262
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更多IRFSL23N15D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-27 16:07:00

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