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IRFSL4410PBF

HEXFET Power MOSFET

Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ●Lead-Free Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPow

IRF

International Rectifier

IRF

IRFSL4410Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

IRFSL4410ZPBF

HEXFETPowerMOSFET

Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ●Lead-Free Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPow

IRF

International Rectifier

IRF

IXBD4410

ISOSMARTHalfBridgeDriverChipset

TheIXBD4410/IXBD4411ISOSMARTchipsetisdesignedtocontrolthegatesoftwoPowerMOSFETsorPowerIGBTsthatareconnectedinahalfbridge(phase-leg)configurationfordrivingmultiple-phasemotors,orusedinapplicationsthatrequirehalf-bridgepowercircuits.TheIXBD4410/IXBD4411isaf

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IRFTS8342TRPBF

INFINEON
SOT-23

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

上傳：深圳市智創(chuàng)誠芯電子科技有限公司

Infineon

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFSL4410PBF

  • 功能描述：

    MOSFET MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
TO-262
250
詢價
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IR
23+
TO-262-3
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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International Rectifier
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
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23+
TO-262
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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INFINEON
1503+
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Infineon
22+
NA
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IR
23+
TO-262
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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IR
21+
TO-262
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
Infineon Technologies
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
更多IRFSL4410PBF供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 10:50:00

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