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IRFSL59N10D中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFSL59N10D規(guī)格書詳情
Benefits
● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)
● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Applications
● High frequency DC-DC converters
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFSL59N10D
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-262 |
16800 |
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!? |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
10000 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
詢價 | |||
IR |
2021+ |
TO-262 |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO-262 |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-26 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
7600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 |
