92午夜福利极品少妇久久 ,国产麻豆videoxxxx实拍

首頁 >IRFU2407>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRFU2407	文件：3.72412 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET Description TheD-Pakisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthroughholemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. ?Surfa	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2407	文件：129.34 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.026ohm, Id=42A?? Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRFU2407	文件：247.18 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU2407	文件：3.72412 Mbytes Page：10 Pages	Surface Mount (IRFR2407)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2407	文件：140.18 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFU2407	文件：3.72412 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
IRFU2407PBF	文件：385.68 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?Power MOSFET Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRFU2407PBF	文件：4.00895 Mbytes Page：10 Pages	Surface Mount Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2407PBF	文件：4.02405 Mbytes Page：10 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KA2407	文件：157.44 Kbytes Page：4 Pages	LinearIntergratedCircuit	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
LM2407	文件：1.08347 Mbytes Page：13 Pages	MonolithicTriple7.5nSCRTDriver	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LM2407	文件：361.99 Kbytes Page：9 Pages	MonolithicTriple7.5nSCRTDriver	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LM2407T	文件：361.99 Kbytes Page：9 Pages	MonolithicTriple7.5nSCRTDriver	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
M2407	文件：409.82 Kbytes Page：4 Pages	28(7/36)AWGTinnedCopper	ALPHAWIREAlpha Wire 阿爾法電線	ALPHAWIRE
MC2407	文件：95.78 Kbytes Page：3 Pages	OpenCarrierDouble-BalancedMixerForMicrowaveTelecommunications Description TheMC2407isadoublebalancedmixer,designedforuseinmilitary,commercialandtestequipmentapplications.ThedesignutilizesSchottkyringquaddiodesandbroadbandsoftdielectricandferritebalunstoattainexcellentperformance.Thismixercanalsobeusedasaphasedet	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MC2407	文件：244.97 Kbytes Page：3 Pages	OpenCarrierDouble-BalancedMixerForMicrowaveTelecommunications	MACOM Tyco Electronics	MACOM
MGF2407	文件：87.09 Kbytes Page：2 Pages	MICROWAVEPOWERGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF2407A,powerGaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinStoKubandamplifiers. APPLICATION StoKubandpoweramplifiers.	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
MGF2407A	文件：369.05 Kbytes Page：3 Pages	MICROWAVEPOWERGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF2407A,powerGaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinStoKubandamplifiers. APPLICATION StoKubandpoweramplifiers.	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
MGF2407A	文件：87.09 Kbytes Page：2 Pages	MICROWAVEPOWERGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF2407A,powerGaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinStoKubandamplifiers. APPLICATION StoKubandpoweramplifiers.	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
NJM2407	文件：184.98 Kbytes Page：5 Pages	SINGLE-SUPLLYDUALCOMPARATOR	NJRCNew Japan Radio 新日本無線株式會社	NJRC

12 3 >>>

詳細參數(shù)

型號：
IRFU2407
功能描述：
MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司	IRFU2407	IR	24+	TO-251	9200	絕對原裝現(xiàn)貨,價格低,歡迎詢購!	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRFU2407	IR	23+	TO-251	35890		詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRFU2407	IR	2016+	TO-251	6528	房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十	詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IRFU2407	IR	23+	TO-251	8000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	IRFU2407	IR	23+	TO-251	31000	專業(yè)優(yōu)勢供應(yīng)	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFU2407	IRF	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市華來深電子有限公司	IRFU2407	IR	23+	TO-251	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	IRFU2407	IR原裝	22+23+	TO-251	23799	絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨	詢價
深圳市納艾斯科技有限公司	IRFU2407	IR	2020+	TO-251	80000	只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	IRFU2407	IR	2023+	I-PAK	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價

更多IRFU2407供應(yīng)商更新時間2025-1-11 14:00:00

詳細參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存