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Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Ultra Low On-Resistance
● Surface Mount (IRFR3303)
● Straight Lead (IRFU3033)
● Advanced Process Technology
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFU3303
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
TO-251 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-251 |
8900 |
英瑞芯只做原裝正品!!! |
詢價(jià) | ||
IR |
2023+ |
I-PAK |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-251 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-251 |
7000 |
詢價(jià) | |||
IR |
2022+ |
TO-251 |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-251-3 短引線,IPak,TO-251A |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
VB |
TO-251 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價(jià) | |||
IR |
2403+ |
TO-251 |
6489 |
原裝現(xiàn)貨熱賣!十年芯路!堅(jiān)持! |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
I-pak |
16800 |
絕對原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢!? |
詢價(jià) |
