首頁(yè)>IRFZ24S>規(guī)格書(shū)詳情

IRFZ24S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFZ24S
廠商型號(hào)

IRFZ24S

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

361.55 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-27 23:00:00

IRFZ24S規(guī)格書(shū)詳情

Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of

applications.

Advanced Process Technology

Surface Mount (IRFZ24S)

Low-profile through-hole (IRFZ24L)

175°C Operating Temperature

Fast Switching

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFZ24S

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 60V 17 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
23+
NA/
313
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
詢價(jià)
VISHAY(威世)
23+
TO263
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!
詢價(jià)
IR
2020+
TO-263
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
詢價(jià)
INTERNATIONALRECTIFIER
24+
35200
一級(jí)代理/放心采購(gòu)
詢價(jià)
SILICONIXVISHAY
23+
NA
25630
原裝正品
詢價(jià)
VISHAY
22+23+
TO-263
28866
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
詢價(jià)
IR
TO-263
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
詢價(jià)
IR
22+
SOT-263-
8000
原裝正品支持實(shí)單
詢價(jià)
SILICONIXVISHAY
21+
NA
12820
只做原裝,質(zhì)量保證
詢價(jià)
IR
23+
TO
4500
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售
詢價(jià)