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IRG4BC20SD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4BC20SD
廠商型號

IRG4BC20SD

參數(shù)屬性

IRG4BC20SD 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 19A 60W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

287.8 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-12 20:00:00

IRG4BC20SD規(guī)格書詳情

Features

? Extremely low voltage drop 1.4Vtyp. @ 10A

? S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives.

? Very Tight Vce(on) distribution

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

? Industry standard TO-220AB package

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

? IGBTs optimized for specific application conditions

? HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing

? Lower losses than MOSFETs conduction and Diode losses

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4BC20SD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 15V,10A

  • 開關(guān)能量:

    320μJ(開),2.58mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    62ns/690ns

  • 測試條件:

    480V,10A,50 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 19A 60W TO220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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