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IRG4BC30KD-STRR	文件：225.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KPBF	文件：210.45 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR ShortCircuitRatedUltraFastIGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KPBF	文件：263.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KS	文件：161.85 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30K-S	文件：161.85 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30K-S	文件：263.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30K-SPBF	文件：271.3 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCiruitRatedUltraFastIGBT INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCiruitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C VGE=15V ?Conbineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidest	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30S	文件：161.89 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=18A) Features ?Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30S	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30SPBF	文件：263.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30SPBF	文件：288.11 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30SS	文件：152.77 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=18A) Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30S-S	文件：204.24 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=18A) Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30S-S	文件：152.77 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=18A) Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30S-SPBF	文件：212.25 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30U	文件：167.86 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A) Features ?UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Gener	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30UD	文件：234.03 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A) Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30UD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30UDPBF	文件：279.96 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODEUltraFastCoPackIGBT Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRG4BC30KD-STRR
功能描述：
IGBT W/DIODE 600V 28A RGHT D2PAK
RoHS：
否
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
系列：
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
30
系列：
GenX3™ IGBT
類(lèi)型：
PT 電壓 -
集電極發(fā)射極擊穿（最大）：
1200V Vge,
Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）：
3V @ 15V，100A 電流 -
集電極(Ic)（最大）：
200A 功率 -
最大：
830W
輸入類(lèi)型：
標(biāo)準(zhǔn)
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PLUS247?-3
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	IRG4BC30KD-STRR	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠(chǎng)免費(fèi)送樣	詢(xún)價(jià)
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