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IRG4IBC20UD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4IBC20UD
廠商型號

IRG4IBC20UD

參數(shù)屬性

IRG4IBC20UD 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

230.8 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-27 23:00:00

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IRG4IBC20UD規(guī)格書詳情

Features

? 2.5kV, 60s insulation voltage

? 4.8 mm creapage distance to heatsink

? UltraFast: Optimized for high operating

frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200

kHz in resonant mode

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultrasoft recovery antiparallel diodes

? Tighter parameter distribution

? Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM

outline

Benefits

? Simplified assembly

? Highest efficiency and power density

? HEXFREDTM antiparallel Diode minimizes

switching losses and EMI

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4IBC20UDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,6.5A

  • 開關(guān)能量:

    160μJ(開),130μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    39ns/93ns

  • 測試條件:

    480V,6.5A,50 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB 整包

  • 描述:

    IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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