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IRG4IBC30UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?4.8mmcreapagedistancetoheatsink ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes ?Tighte

IRF

International Rectifier

IRG4IBC30UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4IBC30UDPBF

Package：TO-220-3 整包；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 17A 45W TO220FP

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4IBC30UDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4IBC30F

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?VeryLow1.59Vvotagedrop ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?4.8mmcreapagedistancetoheatsink ?Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecovery

IRF

International Rectifier

IRG4IBC30FD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?VeryLow1.59Vvotagedrop ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?4.8mmcreapagedistancetoheatsink ?Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecovery

IRF

International Rectifier

IRG4IBC30KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRG4IBC30KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTTECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRG4IBC30KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?Highswitchingspeedoptimizedforupto25kHz withlowVCE(on) ?ShortCircuitRating10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,

IRF

International Rectifier

IRG4IBC30S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4IBC30UDPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，12A

  • 開關能量：

    380μJ（開），160μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    40ns/91ns

  • 測試條件：

    480V，12A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商器件封裝：

    TO-220AB 整包

  • 描述：

    IGBT 600V 17A 45W TO220FP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INTERNATIONALRECTIFIER
21+
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只做原裝,假一罰十
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IR
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柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
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100%原裝正品現(xiàn)貨
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TO-220FULLPAK
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全新原裝優(yōu)勢
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Infineon
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進口原裝正品優(yōu)勢供應
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只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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International Rectifier
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
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Infineon
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IR
23+
TO-220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多IRG4IBC30UDPBF供應商 更新時間2025-1-26 8:00:00

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