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IRG4RC10UDTRLP

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 8.5A 38W DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC10UDTRP

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 8.5A 38W DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC10UDTRRP

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 8.5A 38W DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC10

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations

IRF

International Rectifier

IRG4RC10

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,IC=2.0A)

Features ?Extremelylowvoltagedrop;1.0Vtypicalat2A,100°C ?Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4RC10

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-252AApackage Benefits ?Generation4IGBTsofferhig

IRF

International Rectifier

IRG4RC10K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-252AApackage Benefits ?Generation4IGBTsofferhig

IRF

International Rectifier

IRG4RC10KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations

IRF

International Rectifier

IRG4RC10KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration

IRF

International Rectifier

IRG4RC10KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCircuitRatedUltraFastIGBT

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4RC10UDTRP

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.6V @ 15V，5A

  • 開關(guān)能量：

    140μJ（開），120μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    40ns/87ns

  • 測試條件：

    480V，5A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D-Pak

  • 描述：

    IGBT 600V 8.5A 38W DPAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon Technologies
21+
D-Pak
2000
100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)!
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9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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Infineon Technologies
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13880
公司只售原裝,支持實單
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6000
原裝正品，支持實單
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原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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Infineon Technologies
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D-Pak
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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DPAK
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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更多IRG4RC10UDTR供應(yīng)商 更新時間2025-2-20 15:11:00

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