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IRGB4B60KPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IRGB4B60KPBF |
| 參數(shù)屬性 | IRGB4B60KPBF 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 12A 63W TO220A |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
325.03 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
14 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-26 18:32:00 |
| 人工找貨 | IRGB4B60KPBF價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IRGB4B60KPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，4A
- 開(kāi)關(guān)能量：
130μJ（開(kāi)），83μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
22ns/100ns
- 測(cè)試條件：
400V，4A，100 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 12A 63W TO220A
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
1738+ |
TO-220 |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
NA |
68932 |
全新原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/IR |
2023+ |
TO-220 |
8635 |
一級(jí)代理優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,全新正品直營(yíng)店 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
NA/ |
170 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-220-3 |
127 |
詢價(jià) | |||
IR |
23+ |
TO220AB |
8653 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-220AB |
16800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!? |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
TO-220-3 |
9350 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
21+ |
TO220AB |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) |
