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IRGIB6B60KD分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGIB6B60KD
廠商型號

IRGIB6B60KD

參數屬性

IRGIB6B60KD 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 600V 11A 38W TO220FP

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

282.83 Kbytes

頁面數量

13

生產廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-5-24 23:01:00

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IRGIB6B60KD規(guī)格書詳情

Features

? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

? Low Diode VF.

? 10μs Short Circuit Capability.

? Square RBSOA.

? Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

Benefits

? Benchmark Efficiency for Motor Control.

? Rugged Transient Performance.

? Low EMI.

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

產品屬性

  • 產品編號:

    IRGIB6B60KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,5A

  • 開關能量:

    110μJ(開),135μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    25ns/215ns

  • 測試條件:

    400V,5A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商器件封裝:

    TO-220AB 整包

  • 描述:

    IGBT 600V 11A 38W TO220FP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
24+
NA/
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原裝現貨,當天可交貨,原型號開票
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INFINEON/英飛凌
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100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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TO220
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明嘉萊只做原裝正品現貨
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TO-220
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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一定原裝正品
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原裝正品
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