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IRGP30B60KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
![IRGP30B60KD](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠商型號 |
IRGP30B60KD |
參數(shù)屬性 | IRGP30B60KD 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 60A 304W TO247AD |
功能描述 | NPT IGBT |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
303.2 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-9 23:00:00 |
IRGP30B60KD規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
· Low Diode VF
· 10μs Short Circuit Capability
· Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics
APPLICATIONS
· Low EMI
· Rugged Transient Performance
· Benchmark Efficiency for Motor Control
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRGP30B60KD-EP
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.35V @ 15V,30A
- 開關(guān)能量:
350μJ(開),825μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
46ns/185ns
- 測試條件:
400V,30A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 600V 60A 304W TO247AD
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
17138 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
TO-247A |
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IR |
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IR |
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IR |
24+ |
TO-247-3 |
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TO-247 |
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