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IRGP30B60KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGP30B60KD
廠商型號

IRGP30B60KD

參數(shù)屬性

IRGP30B60KD 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 60A 304W TO247AD

功能描述

NPT IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

303.2 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-9 23:00:00

IRGP30B60KD規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Low Diode VF

· 10μs Short Circuit Capability

· Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics

APPLICATIONS

· Low EMI

· Rugged Transient Performance

· Benchmark Efficiency for Motor Control

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRGP30B60KD-EP

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.35V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    350μJ(開),825μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    46ns/185ns

  • 測試條件:

    400V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 304W TO247AD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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