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AUIRGP50B60PD1

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.35V(Max)@IC=33A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·Ultrafasttailcurrentshutoff ·AutomotiveChargers ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AUIRGP50B60PD1E

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InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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VCES=600V VCE(on)typ.=2.00V @VGE=15VIC=33A Features ?NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient ?LowerVCE(SAT) ?LowerParasiticCapacitances ?MinimalTailCurrent ?HEXFREDUltraFastSoft-RecoveryCo-PackDiode ?TighterDistributionofParameter

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VCES=600V VCE(on)typ.=2.00V @VGE=15VIC=33A EquivalentMOSFETParameters RCE(on)typ.=61m? ID(FETequivalent)=50A Features ?NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient ?LowerVCE(SAT) ?LowerParasiticCapacitances ?MinimalTailCurrent ?H

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供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IRGP50B60PD1PBF-INF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-19 11:06:00