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IRGR3B60KD2TRLP規(guī)格書詳情
Features
? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
? Low Diode VF.
? 10μs Short Circuit Capability.
? Square RBSOA.
? Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
? Lead-Free
Benefits
? Benchmark Efficiency for Motor Control.
? Rugged Transient Performance.
? Low EMI.
? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
產品屬性
- 型號：
IRGR3B60KD2TRLP
- 功能描述：
IGBT 模塊
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies
- 產品：
IGBT Silicon Modules
- 配置：
Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
600 V
- 集電極—射極飽和電壓：
1.95 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流：
230 A
- 柵極—射極漏泄電流：
400 nA
- 功率耗散：
445 W
- 最大工作溫度：
+ 125 C
- 封裝/箱體：
34MM
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務 |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
70000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原裝正品現貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
DPak |
9000 |
原廠渠道,現貨配單 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
DPak |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
TO252 |
10000 |
原裝現貨假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息, |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原裝正品現貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
25+ |
TO-252-3 DPak(2 引線 + 接片 |
9350 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經營 免費試樣正品保證 |
詢價 |
