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IRGSL6B60KD分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRGSL6B60KD |
| 參數屬性 | IRGSL6B60KD 封裝/外殼為TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT NPT 600V 13A TO262 |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封裝外殼 | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA |
| 文件大小 |
307.2 Kbytes |
| 頁面數量 |
15 頁 |
| 生產廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-4-6 18:36:00 |
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IRGSL6B60KD規(guī)格書詳情
Features
? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
? Low Diode VF.
? 10μs Short Circuit Capability.
? Square RBSOA.
? Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
? TO-220 is available in PbF as a Lead-Free
Benefits
? Benchmark Efficiency for Motor Control.
? Rugged Transient Performance.
? Low EMI.
? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
產品屬性
- 產品編號：
IRGSL6B60KDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，5A
- 開關能量：
110μJ（開），135μJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
25ns/215ns
- 測試條件：
400V，5A，100 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
- 供應商器件封裝：
TO-262
- 描述：
IGBT NPT 600V 13A TO262
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-262 |
16800 |
絕對原裝進口現貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!? |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
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IR |
23+ |
TO-262 |
7300 |
專注配單,只做原裝進口現貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
7000 |
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Infineon |
2022+ |
原廠原包裝 |
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INFINEON |
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Infineon |
24+ |
NA |
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IR |
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TO-262 |
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IR |
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TO-262 |
6000 |
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IR |
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TO-262 |
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全新原裝現貨 |
詢價 |
