IRL3502中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRL3502 |
| 功能描述 | HEXFET Power MOSFET |
| 文件大小 |
76.65 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-27 17:47:00 |
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IRL3502規(guī)格書詳情
Description
These HEXFET Power MOSFETs were designed specifically to meet the demands of CPU core DC-DC converters. Advanced processing techniques combined with an optimized gate oxide design results in a die sized specifically to offer maximum efficiency at minimum cost.
Advanced Process Technology
Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive
Ideal for CPU Core DC-DC Converters
Fast Switching
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRL3502
- 功能描述：
MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
0101- |
6 |
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詢價 | ||||
IR |
22+ |
TO-263 |
4500 |
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TO220 |
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原裝正品 |
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350000 |
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24+ |
TO-220AB |
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