IRL530S中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
IRL530S規(guī)格書詳情
FEATURES
? Surface-mount
? Available in tape and reel
? Dynamic dV/dt rating
? Repetitive avalanche rated
? Logic level gate drive
? RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V
? 175 °C operating temperature
? Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
Note?
* This datasheet provides information about parts that are?
RoHS-compliant and / or parts that are non RoHS-compliant. For?
example, parts with lead (Pb) terminations are not RoHS-compliant.?
Please see the information / tables in this datasheet for details
DESCRIPTION
Third generation power MOSFETs from Vishay provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and
cost-effectiveness.
The D2PAK (TO-263) is a surface-mount power package
capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It
provides the highest power capability and the lowest
possible on resistance in any existing surface-mount
package. The D2PAK (TO-263) is suitable for high current
applications because of its low internal connection
resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface
mount application.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRL530S
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
2546 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
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35200 |
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IR |
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TO220 |
58000 |
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TO-263 |
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IR |
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IR |
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D2-pak |
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VIS |
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IR |
23+ |
TO-263 |
35890 |
詢價(jià) |
