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IRLD024PBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRLD024PBF
廠商型號(hào)

IRLD024PBF

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.59251 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-13 14:53:00

IRLD024PBF規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertiable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1 pin centers. The dual drain servers as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1 W.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? For Automatic Insertion

? End Stackable

? Logic-Level Gate Drive

? RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

? 175 °C Operating Temperature

? Fast Switching

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRLD024PBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
23+
HEXDIP
19526
詢價(jià)
IR
22+23+
DIP4
75988
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價(jià)
Vishay
24+
4-HVMDIP
10922
專注Vishay品牌原裝正品代理分銷,認(rèn)準(zhǔn)水星電子
詢價(jià)
Vishay
23+
二極管
5864
原裝原標(biāo)原盒 給價(jià)就出 全網(wǎng)最低
詢價(jià)
IR/VISHAY
21+
DIP4
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價(jià)
IR
1923+
DIP-4
6896
原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫(kù)存專業(yè)工廠研究所配單供貨
詢價(jià)
SILICONIX (VISHAY)
23+
原廠原封
955
訂貨1周 原裝正品
詢價(jià)
Vishay
18+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
詢價(jià)
Vishay Siliconix
24+
4-HVMDIP
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
詢價(jià)
IR/VISH
24+
65230
詢價(jià)