IRLR3303中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRLR3303規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
? Logic-Level Gate Drive
? Ultra Low On-Resistance
? Surface Mount (IRLR3303)
? Straight Lead (IRLU3303)
? Advanced Process Technology
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRLR3303
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR/VISHAY |
22+ |
TO-252 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
NA/ |
254 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
ir |
24+ |
500000 |
行業(yè)低價(jià),代理渠道 |
詢價(jià) | |||
IR |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
501059 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
35890 |
詢價(jià) | |||
IR |
21+ |
TO-252 |
30490 |
原裝現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) | ||
23+ |
原廠封裝 |
9888 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | |||
IR |
22+23+ |
SOT252 |
22905 |
絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
D-pak |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) |
