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IRLR7843TR	文件：493.35 Kbytes Page：7 Pages	30V N-Channel MOSFET Applications HighFrequencySynchronousBuck ConvertersforComputerProcessorPower	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRLR7843TR	文件：211.22 Kbytes Page：12 Pages	High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power	IRF International Rectifier	IRF
IRLR7843TRPBF	文件：371.48 Kbytes Page：11 Pages	High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power	IRF International Rectifier	IRF
IRLU7843	文件：247.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLU7843	文件：1.06937 Mbytes Page：11 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRLU7843	文件：202.28 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecom	IRF International Rectifier	IRF
IRLU7843CPBF	文件：298.94 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecom	IRF International Rectifier	IRF
IRLU7843PBF	文件：263.04 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecom	IRF International Rectifier	IRF
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ISOW7843	文件：1.34572 Mbytes Page：38 Pages	High-Performance,5000-VRMSReinforcedQuad-ChannelDigitalIsolatorsWithIntegratedHigh-Efficiency,Low-EmissionsDC-DCConverter	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
ISOW7843DWE	文件：1.34572 Mbytes Page：38 Pages	High-Performance,5000-VRMSReinforcedQuad-ChannelDigitalIsolatorsWithIntegratedHigh-Efficiency,Low-EmissionsDC-DCConverter	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
ISOW7843DWER	文件：1.34572 Mbytes Page：38 Pages	High-Performance,5000-VRMSReinforcedQuad-ChannelDigitalIsolatorsWithIntegratedHigh-Efficiency,Low-EmissionsDC-DCConverter	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
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KSMU7843	文件：658.8 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LR7843	文件：1.00187 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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LR7843	文件：371.48 Kbytes Page：11 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
IRLR7843TR
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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