IRLU3303中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRLU3303規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
? Logic-Level Gate Drive
? Ultra Low On-Resistance
? Surface Mount (IRLR3303)
? Straight Lead (IRLU3303)
? Advanced Process Technology
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRLU3303
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
100 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
TO-251 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
IR |
10+ |
TO-251 |
123 |
詢價 | |||
IR |
22+23+ |
TO-251 |
28640 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
VB |
I-PAK |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | |||
IR |
24+ |
TO-251 |
154 |
詢價 | |||
IR |
11+ |
TO-251 |
7050 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO-251 |
8900 |
英瑞芯只做原裝正品!!! |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價 | |||
IR/VISHAY |
22+ |
TO-251 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 |
