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IS41LV16100B-60KL

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

DESCRIPTION TheISSIIS41LV16100Bis1,048,576x16-bithigh-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemories.ThesedevicesofferanacceleratedcycleaccesscalledEDOPageMode.EDOPageModeallows1,024randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletimeasshortas20nsper16-bitword

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

ISSI

IS41LV16100B-60KL

Package：42-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS41LV16100B-60KLI

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

DESCRIPTION TheISSIIS41LV16100Bis1,048,576x16-bithigh-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemories.ThesedevicesofferanacceleratedcycleaccesscalledEDOPageMode.EDOPageModeallows1,024randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletimeasshortas20nsper16-bitword

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

ISSI

IS41LV16100B-60KLI-TR

Package：42-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS41LV16100B-60KL-TR

Package：42-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS41LV16100B-60KL

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    DRAM - EDO

  • 存儲容量：

    16Mb（1M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    42-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    42-SOJ

  • 描述：

    IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IS41LV16100B-60KL供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 16:31:00

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