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IS42S16100C1-7BI

512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS42S16100C1-7BI

Package：60-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100C1-7BI-TR

Package：60-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100C1-7BL

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS42S16100C1-7BLI

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS42S16100C1-7T

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS42S16100C1-7T

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

DESCRIPTION ISSI’s16MbSynchronousDRAMIS42S16100C1isorganizedasa524,288-wordx16-bitx2-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. FEATURE

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS42S16100C1-7TI

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

DESCRIPTION ISSI’s16MbSynchronousDRAMIS42S16100C1isorganizedasa524,288-wordx16-bitx2-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. FEATURE

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS42S16100C1-7TI

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS42S16100C1-7TL

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS42S16100C1-7BI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術：

    SDRAM

  • 存儲容量：

    16Mb（1M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    60-TFBGA

  • 供應商器件封裝：

    60-TFBGA（6.4x10.1）

  • 描述：

    IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ISSI
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60-TFBGA(6.4x10.1)
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更多IS42S16100C1-7BI供應商 更新時間2025-5-28 10:50:00

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