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IS42S16100E-6TLI

512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100E-6TLI

包裝:托盤 封裝/外殼:50-TSOP(0.400",10.16mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100E-6TLI-TR

包裝:托盤 封裝/外殼:50-TSOP(0.400",10.16mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100E-6BL

512KWordsx16Bitsx2Banks16MbSYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100E-6BLI

512KWordsx16Bitsx2Banks16MbSYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100E-6T

512KWordsx16Bitsx2Banks16MbSYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100E-6TL

512KWordsx16Bitsx2Banks16MbSYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS42S16100E-6TLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM

  • 存儲(chǔ)容量:

    16Mb(1M x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    50-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    50-TSOP II

  • 描述:

    IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ISSI
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50-TSOPII
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專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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50-TSOP II
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ISSI
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50-TSOP
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ISSI
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