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IS42S16160G-6BL

32Meg x 8, 16Meg x16 256Mb SYNCHRONOUS DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16160G-6BL

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：54-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16160G-6BLI

32Meg x 8, 16Meg x16 256Mb SYNCHRONOUS DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16160G-6BLI-TR

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：54-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16160G-6BL-TR

包裝：托盤 封裝/外殼：54-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16160G-6TL

32Megx8,16Megx16256MbSYNCHRONOUSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16160G-6TLI

32Megx8,16Megx16256MbSYNCHRONOUSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS42S16160G-6BL

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM

  • 存儲容量：

    256Mb（16M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    54-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    54-TFBGA（8x8）

  • 描述：

    IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IS42S16160G-6BL供應(yīng)商 更新時間2025-1-7 17:06:00

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