首頁>IS61NLP12836B-200TQLI>詳情

IS61NLP12836B-200TQLI_ISSI/北京矽成_靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v海芯未來電子

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    IS61NLP12836B-200TQLI

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ISSI

  • 庫存數(shù)量：

    6800

  • 產(chǎn)品封裝：

    QFP

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-7 10:01:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：IS61NLP12836B-200TQLI品牌：ISSI

  • 芯片型號(hào)：

    IS61NLP12836B-200TQLI

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱：

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    29 頁

  • 文件大?。?/span>

    528.09 kb

  • 資料說明：

    128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 STATE BUS SRAM

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    IS61NLP12836B-200TQLI

  • 功能描述：

    靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor

  • 存儲(chǔ)容量：

    16 Mbit

  • 組織：

    1 M x 16

  • 訪問時(shí)間：

    55 ns

  • 電源電壓-最大：

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.2 V

  • 最大工作電流：

    22 uA

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 最小工作溫度：

    - 40 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    TSOP-48

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    海芯未來半導(dǎo)體電子（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    馮小姐

  • 手機(jī)：

    18823440899

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    18823440899

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)振興路109號(hào)華康大院2棟2層203

相近型號(hào)