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ISG0616N10NM5HSC

Marking：61610N5HC；Package：PG-WHITFN-10-1；MOSFET OptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 V

Features ?SymmetricalHalfBridge ?Optimizedforlowvoltagedrivesandbatterypoweredapplications ?OptimizedforhighperformanceSMPS ?N-channel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?100%avalanchetested ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halo

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多ISG0616N10NM5HSC供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 11:09:00

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