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ITK13A50DA

iscN-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

K13A50D

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(π-MOSⅦ)

SwitchingRegulatorApplications Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.31Ω(typ.) Highforwardtransferadmittance:?Yfs?=7.5S(typ.) Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=500V) Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK13A50D

SwitchingRegulatorApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK13A50D

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK13A50D

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=12.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.47Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TK13A50D

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(π-MOSⅦ)

SwitchingRegulatorApplications Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.31Ω(typ.) Highforwardtransferadmittance:?Yfs?=7.5S(typ.) Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=500V) Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK13A50DA

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

TK13A50DA

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TK13A50DA

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多ITK13A50DA供應(yīng)商 更新時間2025-1-11 14:12:00

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