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IXBF20N360

BiMOSFET? 超高電壓

? “自由”本征體二極管\n? 高功率密度\n? 高頻運(yùn)行\(zhòng)n? 低傳導(dǎo)損耗\n? MOS柵極開啟簡單便捷\n? 4000V電氣絕緣\n;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

Littelfuse

IXBF20N360

High Voltage, High Frequency, BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ●SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate ●IsolatedMountingSurface ●4000V~ElectricalIsolation ●HighBlockingVoltage ●HighFrequencyOperation Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications ●Switch-ModeandResonant-ModePowerSuppl

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXBF20N360

Package：i4-Pac?-5（3 引線）；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAK

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IXYS Corporation

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IXBH20N360HV

HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?HighVoltagePackages ?HighBlockingVoltage ?HighPeakCurrentCapability ?LowSaturationVoltage Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDensity Applications ?Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ?UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ?LaserGenera

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IXYS Corporation

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IXBT20N360HV

HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXBF20N360

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    BIMOSFET?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.4V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    15.5mJ（開），4.3mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    18ns/238ns

  • 測試條件：

    1500V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    i4-Pac?-5（3 引線）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ISOPLUS i4-PAC?

  • 描述：

    IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
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更多IXBF20N360供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 10:19:00

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