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IXBH40N160分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXBH40N160
廠商型號(hào)

IXBH40N160

參數(shù)屬性

IXBH40N160 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1600V 33A 350W TO247AD

功能描述

High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor - N-Channel, Enhancement Mode
IGBT 1600V 33A 350W TO247AD

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

61.73 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-24 17:29:00

IXBH40N160規(guī)格書詳情

IXBH40N160屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXBH40N160晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

High Voltage BIMOSFET? Monolithic Bipolar MOS Transistor

N-Channel, Enhancement Mode

Features

? International standard package JEDEC TO-247 AD

? High Voltage BIMOSFETTM

- replaces high voltage Darlingtons and series connected MOSFETs

- lower effective RDS(on)

? Monolithic construction

- high blocking voltage capability

- very fast turn-off characteristics

? MOS Gate turn-on

- drive simplicity

? Intrinsic diode

Applications

? AC motor speed control

? DC servo and robot drives

? DC choppers

? Uninterruptible power supplies (UPS)

? Switched-mode and resonant-mode power supplies

? CRT deflection

? Lamp ballasts

Advantages

? Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)

? Space savings

? High power density

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXBH40N160

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    BIMOSFET?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    7.1V @ 15V,20A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測(cè)試條件:

    960V,20A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1600V 33A 350W TO247AD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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