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IXDA20N120AS分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXDA20N120AS
廠商型號

IXDA20N120AS
參數屬性

IXDA20N120AS 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
功能描述

High Voltage IGBT
IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
封裝外殼

TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
文件大小

54.05 Kbytes
頁面數量

4 頁
生產廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-4-3 17:06:00
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IXDA20N120AS規(guī)格書詳情

IXDA20N120AS屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產的IXDA20N120AS晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

High Voltage IGBT

Short Circuit SOA Capability Square RBSOA

Features

● NPT IGBT technology

● high switching speed

● low tail current

● no latch up

● short circuit capability

● positive temperature coefficient for easy paralleling

● MOS input, voltage controlled

● International standard package

Advantages

● Space savings

● High power density

Typical Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninteruptible power supplies (UPS)

● Switch-mode and resonant-mode power supplies

產品屬性

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  • 產品編號：

    IXDA20N120AS

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3V @ 15V，20A

  • 開關能量：

    3.1mJ（開），2.4mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 測試條件：

    600V，20A，82 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應商器件封裝：

    TO-263AA

  • 描述：

    IGBT 1200V 38A 200W TO263AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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