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IXFA8N50P3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

IXFA8N50P3

N-Channel: Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET?)

·The IXYS most popular Power MOSFETs (HiPerFET?) for both hard switching and resonant mode applications, offering Low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode. Available in many standard industrial packages including isolated types\n;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

Littelfuse

IXFA8N50P3

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXFP8N50P3

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicRectifier

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXFB44N100P

IXYS
TO-264

IXYS

技術(shù)參數(shù)

  • Package Style：

    TO-263

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
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更多IXFA8N50P3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 10:19:00

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