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IXFK50N50

HiPerFET Power MOSFET

HiPerFET?PowerMOSFET SingleDieMOSFET Features ?Internationalstandardpackages ?Encapsulatingepoxymeets UL94V-0,flammabilityclassification ?miniBLOCwithAluminiumnitride isolation ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Unc

IXYS

IXYS Corporation

IXFK50N50

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AWCCA-50N50

WirelessChargingCoilAssembly

ABRACON

Abracon Corporation

FDA50N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDA50N50

DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDA50N50

50Ampere,500VoltN-ChannelPlanarProcessPowerMOSFET

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導體思祁半導體有限公司

FDA50N50

500VN-ChannelMOSFET

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features ?48A,500V,RDS(on)=0.105Ω@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical105nC) ?LowCrss(typical45pF) ?Fastswitchin

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDA50N50

500VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDH50N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDH50N50

50Ampere,500VoltN-ChannelPlanarProcessPowerMOSFET

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導體思祁半導體有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXFK50N50

  • 功能描述：

    MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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TO-3PL
6200
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IXYS
23+
TO-3PL
5000
原裝正品,假一罰十
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IXYS
24+
TO-3P
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
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23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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23+
TO-3PL
4500
專做原裝正品,假一罰百!
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公司大量全新現(xiàn)貨 隨時可以發(fā)貨
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更多IXFK50N50供應商 更新時間2025-1-25 16:00:00

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