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IXFM6N100中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IXFM6N100
廠商型號(hào)

IXFM6N100

功能描述

HIPERFET Power MOSFTETs

文件大小

295.27 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-25 11:00:00

IXFM6N100規(guī)格書(shū)詳情

HiPerFETs

The hIPerFET family of Power MOSFETs is designed to provice superior dv/dt, performance while eliminating the need for discrete, fase recovery free wheeling rectifiers In a board range of power switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXFM6N100

  • 功能描述:

    MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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