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IXFN120N20

HiPer FET Power MOSFETs

HiPerFETTMPowerMOSFETsSingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features ?EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification ?Internationalstandardpackage ?miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess

IXYS

IXYS Corporation

IXFN120N20

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=17mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverters ·DCchoppers ·Batterychargers ·Temperatureandlightingcontrols ·Switched-modeandresonant-modepowersu

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFR120N20

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFR120N20

PowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFR120N20

HiPerFETTMPowerMOSFETsISOPLUS247

HiPerFET?PowerMOSFET(ElectricallyIsolatedTab) N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate ?IsolatedMountingSurface ?2500V~ElectricalIsolation ?AvalancheRated ?FastIntrinsicRectifier ?Lo

IXYS

IXYS Corporation

IXFX120N20

HiPerFETPowerMOSFETs

SingleMOSFETDie Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS) rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?Fastintrinsicrectifier Applicatio

IXYS

IXYS Corporation

IXFX120N20

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=17mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTK120N20P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTK120N20P

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

IXYS

IXYS Corporation

IXTQ120N20P

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXFN120N20

  • 功能描述：

    MOSFET 200V 120A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS艾賽斯
1312+
SOT-227小信號(hào)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
330
一定是全新原廠原裝正品貨 小信號(hào)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 德國(guó)原廠地
 詢價(jià)
IXFN
23+
NA
5000
原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
 詢價(jià)
德國(guó)IXYS艾塞斯
23+
MOUDLE
12000
原裝正品假一罰十支持實(shí)單
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
18+
MODULE
1290
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126
 詢價(jià)
IXYS
23+
模塊
595
全新原裝正品,量大可訂貨!可開(kāi)17%增值票!價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
 詢價(jià)
IXYS
24+
SOT-227BminiBLOC
326
詢價(jià)
IXYS
23+
MOSFETN-CH200V120ASOT-22
1754
專業(yè)代理銷售半導(dǎo)體模塊,能提供更多數(shù)量
 詢價(jià)
IXYS場(chǎng)效應(yīng)
100
原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠
 詢價(jià)
IXYS
16+
NA
8800
原裝現(xiàn)貨,貨真價(jià)優(yōu)
 詢價(jià)
IXFN
2020+
SOT-227
2
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
更多IXFN120N20供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-25 10:32:00

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