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IXFP130N10T

TrenchMV Power MOSFET HiperFET

TrenchMV?PowerMOSFETHiperFET? N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Fastintrisicdiode Features ?Ultra-lowOnResistance ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?175°COperatingTemperature ?Fastintrinsicdiode

IXYS

IXYS Corporation

IXFP130N10T

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFP130N10T2

TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

TrenchT2?HiperFET?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrnsicRectifier Features ?InternationalStandardPackages ?175°COperatingTemperature ?HighCurrentHandlingCapability ?FastIntrinsicRectifier ?DynamicdV/dtRated ?LowRDS(on) Advantages ?Ea

IXYS

IXYS Corporation

IXFP130N10T2

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTA130N10T

TrenchMVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

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IXYS Corporation

IXTA130N10T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTH130N10T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTH130N10T

TrenchMVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

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IXTP130N10T

TrenchMVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

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IXTP130N10T

TrenchMVTMPowerMOSFET

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXFP130N10T

  • 功能描述：

    MOSFET 130 Amps 100V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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24+
TO-220-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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IXYS/艾賽斯
17+
TO-220
31518
原裝正品 可含稅交易
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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2022+
TO-220-3
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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更多IXFP130N10T供應(yīng)商 更新時間2025-5-28 14:13:00

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