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IXFP7N100P

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

IXFP7N100P

N通道HiPerFET

? 國際標準包裝\n? 動態(tài)dv/dt額定值\n? 雪崩評級\n? 快速本征整流器\n? 較低的QG和RDS(on)\n? 較低的漏極至彈片電容\n? 較低的封裝電感\(zhòng)n;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

Littelfuse

IXFP7N100P

Polar HiPerFET Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXFP7N100P

Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXFX32N50

IXYS
TO-247

IXYS

IXYS Corporation

上傳:深圳市凌旭科技有限公司

IXYS

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IXFP7N100P

  • 功能描述:

    MOSFET 7 Amps 1000V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXFP7N100P供應商 更新時間2025-8-3 9:05:00